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IPB65R190C7ATMA2

型號描述:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
型號:
IPB65R190C7ATMA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$97.7984
10+NT$67.4016
100+NT$49.1536
500+NT$41.9932
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$97.7984 數量:

合計: NT$98

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Qualification
-
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