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IPB60R040CFD7ATMA1

型號描述:
MOSFET HIGH POWER_NEW
型號:
IPB60R040CFD7ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$271.2584
10+NT$186.3456
100+NT$145.0456
500+NT$144.7152
1000+NT$118.2832
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$271.2584 數量:

合計: NT$271

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 24.9A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4351 pF @ 400 V
Qualification
-
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