IPB65R150CFDATMA2
- 型號描述:
- MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- 型號:
- IPB65R150CFDATMA2
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$142.072 |
| 10+ | NT$93.5032 |
| 100+ | NT$66.08 |
| 500+ | NT$60.4632 |
| 1000+ | NT$50.2208 |
| 2000+ | NT$49.2296 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$142.072
數量:
合計: NT$142
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 22.4A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 150mOhm @ 9.3A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 195.3W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 900µA
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 86 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2340 pF @ 100 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
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