IPB60R190C6ATMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
- 型號:
- IPB60R190C6ATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$108.3712 |
| 10+ | NT$79.1969 |
| 100+ | NT$55.9929 |
| 500+ | NT$49.3023 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$108.3712
數量:
合計: NT$108
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 20.2A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190mOhm @ 9.5A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 151W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 630µA
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 63 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400 pF @ 100 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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