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IPB095N20NM6ATMA1

型號描述:
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
型號:
IPB095N20NM6ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$200.2224
10+NT$139.7592
100+NT$112.9968
500+NT$101.1024
1000+NT$85.5736
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$200.2224 數量:

合計: NT$200

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 62A, 15V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 186µA
Supplier Device Package
PG-TO263-3-U01
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 100 V
Qualification
-
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