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IPB027N10N3GATMA1

型號描述:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
型號:
IPB027N10N3GATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$127.204
10+NT$97.4019
100+NT$83.578
500+NT$81.7562
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$127.204 數量:

合計: NT$127

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Qualification
-
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