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| 2+ | NT$195.7531 |
| 250+ | NT$189.8714 |
| 500+ | NT$184.1965 |
起訂量：2
倍增量：1
價格:
NT$195.7531
數量:
合計: NT$392
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 48A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 60mOhm @ 15.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 800µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 67 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2895 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 164W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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