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IPB80N04S2H4ATMA2

型號描述:
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
型號:
IPB80N04S2H4ATMA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$130.438
10+NT$85.611
100+NT$60.332
500+NT$56.624
1000+NT$48.198
2000+NT$46.513
5000+NT$43.479
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$130.438 數量:

合計: NT$130

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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