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IPB025N10N3GATMA1

型號描述:
MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
型號:
IPB025N10N3GATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$223.801
10+NT$150.998
100+NT$110.552
1000+NT$103.474
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$223.801 數量:

合計: NT$224

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Supplier Device Package
PG-TO263-7
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Qualification
-
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