IPB600N25N3GATMA1
- 型號描述:
- MOSFET N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
- 型號:
- IPB600N25N3GATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$132.3 |
| 10+ | NT$86.789 |
| 100+ | NT$60.682 |
| 500+ | NT$51.509 |
| 1000+ | NT$47.275 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$132.3
數量:
合計: NT$132
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 250 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 60mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 90µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 29 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2350 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 136W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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