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IPB019N08N3GATMA1

型號描述:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
型號:
IPB019N08N3GATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$229.014
10+NT$154.095
100+NT$113.051
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$229.014 數量:

合計: NT$229

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
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