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SISS63DN-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8S
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
型號:
SISS63DN-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$61.994
10+NT$39.357
100+NT$26.307
500+NT$20.707
1000+NT$18.906
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$61.994 數量:

合計: NT$62

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7080 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 65.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S
Package / Case
PowerPAK® 1212-8S
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