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SISH129DN-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 30 V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8SH
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
型號:
SISH129DN-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$54.909
10+NT$34.646
100+NT$23.026
500+NT$18.031
1000+NT$16.402
3000+NT$14.347
9000+NT$14.064
24000+NT$13.816
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$54.909 數量:

合計: NT$55

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3345 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8SH
Package / Case
PowerPAK® 1212-8SH
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