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SISS05DN-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8S
MOSFET PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
型號:
SISS05DN-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$80.438
10+NT$51.156
100+NT$33.975
500+NT$27.836
1000+NT$24.661
3000+NT$23.32
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$80.438 數量:

合計: NT$80

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29.4A (Ta), 108A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4930 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S
Package / Case
PowerPAK® 1212-8S
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