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TK190A60Z1,S4X

型號描述:
N-Channel 600 V 14A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
型號:
TK190A60Z1,S4X
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$122.189
50+NT$61.109
100+NT$55.177
500+NT$44.775
1000+NT$41.433
2000+NT$38.623
5000+NT$35.786
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$122.189 數量:

合計: NT$122

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 480µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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