TK160F10N1L,LXGQ
- 型號描述:
- MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
- 型號:
- TK160F10N1L,LXGQ
- 品牌:
- Toshiba
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$178.483 |
| 10+ | NT$118.272 |
| 100+ | NT$83.866 |
| 500+ | NT$73.114 |
| 1000+ | NT$64.154 |
| 2000+ | NT$59.494 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$178.483
數量:
合計: NT$178
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 160A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.4mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 122 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 10100 pF @ 10 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 375W (Tc)
- Operating Temperature
- 175°C
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-220SM(W)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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