SCTL35N65G2V
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat? (8x8) HV
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
- 型號:
- SCTL35N65G2V
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 67mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 73 nC @ 20 V
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1370 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 417W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PowerFlat™ (8x8) HV
- Package / Case
- 4-PowerVDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
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