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SCT1000N170

型號描述:
N-Channel 1700 V 7A (Tc) 96W (Tc) Through Hole HiP247?
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
型號:
SCT1000N170
品牌:
STMicroelectronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
600
1+NT$336.892
10+NT$230.262
100+NT$191.649
600+NT$142.408
1200+NT$139.22
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$336.892 數量:

合計: NT$337

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 3A, 20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Supplier Device Package
HiP247™
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
133 pF @ 1000 V
Qualification
-
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