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SCT4062KEHRC11

型號描述:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247N
碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
型號:
SCT4062KEHRC11
品牌:
ROHM Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
450
1+NT$461.234
10+NT$340.434
100+NT$289.422
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$461.234 數量:

合計: NT$461

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 6.45mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+21V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1498 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W
Operating Temperature
175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Package / Case
TO-247-3
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