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SCT2080KEGC11

型號描述:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
碳化矽MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
型號:
SCT2080KEGC11
品牌:
ROHM Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
450
1+NT$828.945
10+NT$634.108
100+NT$618.166
450+NT$568.217
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$828.945 數量:

合計: NT$829

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
262W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Package / Case
TO-247-3
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