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SCT2160KEHRC11

型號描述:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
型號:
SCT2160KEHRC11
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$866.85
30+NT$551.06
120+NT$482.052
510+NT$474.739
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$866.85 數量:

合計: NT$867

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
165W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Package / Case
TO-247-3
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