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TP65H300G4LSGBE-TR

型號描述:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 31.5W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
型號:
TP65H300G4LSGBE-TR
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$92.361
10+NT$59.537
100+NT$40.876
500+NT$33.096
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$92.361 數量:

合計: NT$92

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
312mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 6 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
31.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (8x8)
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
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