TP65H300G4LSGBE-TR
- 型號描述:
- 氮化鎵場效應管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- 型號:
- TP65H300G4LSGBE-TR
- 品牌:
- Renesas Electronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 3000+ | NT$29.847 |
| 6000+ | NT$29.635 |
| 9000+ | NT$28.859 |
起訂量：3000
倍增量：3000
價格:
NT$29.847
數量:
合計: NT$89541
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 312mOhm @ 5A, 6V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 500µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12.7 nC @ 6 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1225 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 31.5W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-PQFN (8x8)
- Package / Case
- 8-VDFN Exposed Pad
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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