TP65H050WS
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
氮化鎵場效應管 650V, 50mOhm
- 型號:
- TP65H050WS
- 品牌:
- Renesas Electronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 30
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$590.94 |
| 10+ | NT$400.428 |
| 120+ | NT$367.265 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$590.94
數量:
合計: NT$591
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 34A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 12V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 60mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.8V @ 700µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 24 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1000 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 119W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247-3
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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