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TP65H150G4PS

型號描述:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
型號:
TP65H150G4PS
品牌:
Renesas Electronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$161.582
10+NT$83.261
100+NT$75.852
500+NT$62.446
1000+NT$57.859
2000+NT$57.154
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$161.582 數量:

合計: NT$162

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
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