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TP65H300G4LSGB-TR

型號描述:
N-Channel 650 V 6.5A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
型號:
TP65H300G4LSGB-TR
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$143.52
10+NT$94.456
100+NT$66.562
500+NT$60.412
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$143.52 數量:

合計: NT$144

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
21W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (8x8)
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
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