TP65H300G4LSGB-TR
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 6.5A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
- 型號:
- TP65H300G4LSGB-TR
- 品牌:
- Renesas Electronics Corporation
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 6.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 312mOhm @ 6.5A, 6V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.8V @ 500µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.8 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 730 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 21W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-PQFN (8x8)
- Package / Case
- 8-VDFN Exposed Pad
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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