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TP65H150G4PS

型號描述:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
GAN FET N-CH 650V TO-220
型號:
TP65H150G4PS
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$157.254
50+NT$80.976
100+NT$73.604
500+NT$60.695
1000+NT$56.549
2000+NT$55.794
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$157.254 數量:

合計: NT$157

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
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