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TP65H150BG4JSG-TR

型號描述:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
型號:
TP65H150BG4JSG-TR
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$173.048
10+NT$114.885
100+NT$81.903
500+NT$77.748
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$173.048 數量:

合計: NT$173

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN
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