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TP65H050WS

型號描述:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
型號:
TP65H050WS
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$644.125
30+NT$402.544
120+NT$357.513
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$644.125 數量:

合計: NT$644

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
119W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
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