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TP65H030G4PWS

型號描述:
N-Channel 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
型號:
TP65H030G4PWS
品牌:
Renesas Electronics Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$348.844
30+NT$206.72
120+NT$175.509
510+NT$161.374
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$348.844 數量:

合計: NT$349

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
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