TP65H030G4PQS-TR
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TOLL
GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
- 型號:
- TP65H030G4PQS-TR
- 品牌:
- Renesas Electronics Corporation
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$339.573 |
| 10+ | NT$233.684 |
| 100+ | NT$190.693 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$339.573
數量:
合計: NT$340
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 55.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 12V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 41mOhm @ 30A, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.8V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 24.5 nC @ 12 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1500 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 192W (Tc)
- Operating Temperature
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TOLL
- Package / Case
- 8-PowerSFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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