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| 1+ | NT$41.222 |
| 10+ | NT$40.078 |
| 50+ | NT$39.35 |
| 100+ | NT$38.57 |
| 500+ | NT$38.415 |
| 1000+ | NT$38.311 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$41.222
數量:
合計: NT$41
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 800mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 21 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 680 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 50W (Tc)
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220FM
- Package / Case
- TO-220-3 Full Pack
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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