R6086YNZ4C13
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G
MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
- 型號:
- R6086YNZ4C13
- 品牌:
- ROHM Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 600
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$450.252 |
| 10+ | NT$253.643 |
| 100+ | NT$241.598 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$450.252
數量:
合計: NT$450
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 86A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V, 12V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 44mOhm @ 17A, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 6V @ 4.6mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 110 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 5100 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 781W (Tc)
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247G
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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