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R6011END3TL1

型號描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-252
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise
型號:
R6011END3TL1
品牌:
ROHM Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$130.718
10+NT$77.581
100+NT$60.577
500+NT$57.743
1000+NT$52.075
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$130.718 數量:

合計: NT$131

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
124W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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