IMZA65R033M2HXKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 53A (Tc) 194W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
- 型號:
- IMZA65R033M2HXKSA1
- 品牌:
- Infineon
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 240+ | NT$376.7681 |
| 480+ | NT$369.381 |
| 960+ | NT$364.145 |
| 1920+ | NT$359.0554 |
| 3840+ | NT$353.2203 |
起訂量：240
倍增量：1
價格:
NT$376.7681
數量:
合計: NT$90424
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 53A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 27.9A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.6V @ 5.7mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1214 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 194W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-8
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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