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IMZ120R045M1XKSA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
型號:
IMZ120R045M1XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$464.4549
10+NT$314.1999
100+NT$271.1268
480+NT$267.7878
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$464.4549 數量:

合計: NT$464

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET Feature
Current Sensing
Power Dissipation (Max)
228W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Package / Case
TO-247-4
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