IMZC120R078M2HXKSA1
- 型號描述:
- 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- 型號:
- IMZC120R078M2HXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 240
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$266.4522 |
| 10+ | NT$187.9857 |
| 100+ | NT$156.5991 |
| 480+ | NT$139.5702 |
| 1200+ | NT$124.2108 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$266.4522
數量:
合計: NT$266
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 78mOhm @ 9A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.1V @ 2.8mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 21 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 700 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 143W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-17
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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