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DMT10H009LCG-7

型號描述:
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
型號:
DMT10H009LCG-7
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$55.3621
10+NT$37.3783
100+NT$25.9179
500+NT$21.087
1000+NT$19.0065
2000+NT$17.2081
4000+NT$15.9387
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$55.3621 數量:

合計: NT$55

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerVDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package
V-DFN3333-8 (Type B)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2309 pF @ 50 V
Qualification
-
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