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首頁 > Vishay Siliconix代理商 > SIHK110N65SF-T1GE3
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SIHK110N65SF-T1GE3

型號描述:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 329W (Tc) Surface Mount PowerPAK?10 x 12
N-CHANNEL 650V
型號:
SIHK110N65SF-T1GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$226.012
10+NT$151.371
50+NT$119.333
100+NT$109.028
500+NT$100.542
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$226.012 數量:

合計: NT$226

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2795 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
329W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK®10 x 12
Package / Case
8-PowerSFN
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