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SIHD6N65E-GE3

型號描述:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
型號:
SIHD6N65E-GE3
品牌:
Vishay / Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$88.562
10+NT$40.739
100+NT$36.488
500+NT$30.784
1000+NT$26.71
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$88.562 數量:

合計: NT$89

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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