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SIHB33N60E-GE3

型號描述:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
型號:
SIHB33N60E-GE3
品牌:
Vishay / Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$266.042
10+NT$178.188
100+NT$143.117
500+NT$127.176
1000+NT$114.068
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$266.042 數量:

合計: NT$266

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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