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SIHG23N60E-GE3

型號描述:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
型號:
SIHG23N60E-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$209.716
10+NT$139.893
100+NT$100.317
500+NT$83.433
1000+NT$78.013
2000+NT$74.304
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$209.716 數量:

合計: NT$210

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2418 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TA)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
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