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SI2399BDS-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 20 V 5.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
型號:
SI2399BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
6000+NT$2.673
起訂量：6000 倍增量：1
價格: NT$2.673 數量:

合計: NT$16038

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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