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SI2319DS-T1-E3

型號描述:
P-Channel 40 V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
型號:
SI2319DS-T1-E3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$42.864
10+NT$27.986
100+NT$19.059
500+NT$14.985
1000+NT$13.143
3000+NT$10.982
6000+NT$10.238
9000+NT$9.919
24000+NT$9.777
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$42.864 數量:

合計: NT$43

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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