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SI2301CDS-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
型號:
SI2301CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$26.214
10+NT$16.118
100+NT$10.38
500+NT$7.864
1000+NT$7.085
3000+NT$6.022
6000+NT$5.491
9000+NT$4.889
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$26.214 數量:

合計: NT$26

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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