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SI2324DS-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
型號:
SI2324DS-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$7.525
6000+NT$6.921
9000+NT$6.614
15000+NT$6.268
21000+NT$6.063
30000+NT$6.009
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$7.525 數量:

合計: NT$22575

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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