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SI2305CDS-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
型號:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$4.506
6000+NT$4.107
9000+NT$3.904
15000+NT$3.676
21000+NT$3.54
30000+NT$3.408
75000+NT$3.219
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$4.506 數量:

合計: NT$13518

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
960 pF @ 4 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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