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SIHG190N65E-GE3

型號描述:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
型號:
SIHG190N65E-GE3
品牌:
VISHAY
交期:
10-15工作天
原廠包裝量:
25
25+NT$191.575
50+NT$180.71
75+NT$169.844
150+NT$153.26
225+NT$147.541
起訂量：25 倍增量：1
價格: NT$191.575 數量:

合計: NT$4789

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1155 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
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