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TK18A50D(STA4,Q,M)

型號描述:
N-Channel 500 V 18A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
型號:
TK18A50D(STA4,Q,M)
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$164.808
50+NT$84.698
100+NT$76.962
500+NT$63.402
1000+NT$59.048
2000+NT$55.39
5000+NT$54.249
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$164.808 數量:

合計: NT$165

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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